Infineon traite le SiC sur des galets de 300 mm pour la première fois.
Infineon a produit les premiers dispositifs électriques en SiC fonctionnels sur des gaufres de 300 millimètres. Ce diamètre plus grand vise à rendre la production plus efficace et, à long terme, à améliorer l’approvisionnement pour des applications telles que les véhicules électriques et les infrastructures de charge.
Une gaufre en SiC de 300 mm permet de produire 2,3 fois plus de puces qu’une gaufre de 200 mm.
Image : Infineon
Le fabricant de semi-conducteurs a, pour la première fois, traité des galets en carbure de silicium (SiC) de 300 millimètres dans des conditions de production réelles dans son usine de Villach, en Autriche. Selon l’entreprise, Infineon est le premier à atteindre cet objectif dans la fabrication de semi-conducteurs. Des installations de production existantes, capables également de traiter du silicium, ont été utilisées.
L’avantage majeur des galets plus grands réside dans une amélioration du rendement : un galet de 300 mm permet de produire environ 2,3 fois plus de puces qu’un galet de 200 mm, selon Infineon. Cela permet une augmentation plus efficace de la production à l’avenir. Cependant, Infineon n’a pas encore fixé de calendrier précis pour augmenter la production. L’entreprise compte déterminer cela en collaboration avec ses clients et partenaires. Parallèlement, le plan de développement existant pour la production de SiC de 200 mm continuera d’être mis en œuvre.
Le carbure de silicium est actuellement l’un des matériaux à large bande interdite les plus importants pour l’électronique de puissance. Par rapport au silicium conventionnel, le SiC permet des pertes d’énergie plus faibles, des densités de puissance plus élevées, ainsi qu’un fonctionnement efficace à haute tension et à haute température. Ses applications incluent les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les stations de charge pour véhicules électriques, ainsi que les systèmes de stockage stationnaires et les moteurs industriels.
Le SiC reste essentiel pour l’électromobilité et les infrastructures de charge
Pour l’électromobilité, cet aspect est particulièrement important en ce qui concerne l’échelle de production et les coûts de fabrication. De plus grandes gaufres permettent de produire davantage de puces en SiC par série de production, ce qui pourrait permettre à terme une production économique en plus grandes quantités. Cependant, Infineon n’a fait aucune déclaration spécifique concernant d’éventuelles réductions de coûts pour les composants individuels.
Parallèlement, l’entreprise travaille également à une production plus efficace des galets de SiC eux-mêmes. Sur son site de Dresde, Infineon a testé avec succès la technologie dite de scission à froid pour les galets de 300 mm en SiC. Cette méthode permet de séparer les galets d’un cristal de SiC avec moins de pertes de matière et des délais de traitement plus courts par rapport à la scie à fil conventionnelle. Ainsi, on peut obtenir davantage de galets à partir du même cristal.
Cet accomplissement en matière de SiC s’inscrit dans la stratégie 300 mm d’Infineon à Villach. Là, l’entreprise avait déjà préparé la transition des galets de 200 mm à ceux de 300 mm pour le nitride de gallium et avait annoncé à la fin d’octobre qu’elle investirait environ 1,1 milliard d’euros dans ce site d’ici 2034. La production en grande série de semi-conducteurs à puissance en GaN sur des galets de 300 mm devrait commencer à la fin de 2027.
Avec le SiC, Infineon transfère désormais cette méthode de fabrication à un deuxième matériau à large bande interdite. L’entreprise produit ainsi des semi-conducteurs d’alimentation basés sur le silicium, le nitride de gallium et le carbure de silicium, et utilise la technologie 300 mm pour ces trois matériaux.