Infineon уперше обробляє SiC на пластинах діаметром 300 мм.
Infineon уперше виготовила функціональні елементи потужності на основі SiC на пластинах діаметром 300 міліметрів. Більший діаметр пластини має зробити виробництво більш ефективним та у довгостроковій перспективі покращити постачання компонентів для застосувань у електромобілях та інфраструктурі зарядки.
Пластини SiC діаметром 300 мм дозволяють виготовляти у 2,3 рази більше чіпів, ніж пластини діаметром 200 мм.
Зображення: Infineon
Виробник напівпровідників обробив пластини з карбіду кремнію діаметром 300 міліметрів у своєму заводі в австрійському Віллаху за реальних умов виробництва. За словами компанії, Infineon стала першою фірмою, якій вдалося здійснити цей крок у виробництві напівпровідників. Для цього використовувалися існуючі виробничі установки, які також можна застосовувати для обробки кремнію.
Основною перевагою більших пластин є кількість отриманих чипів: за даними Infineon, пластина діаметром 300 міліметрів дозволяє виготовити приблизно у 2,3 рази більше чипів, ніж пластина діаметром 200 міліметрів. Це дає можливість у майбутньому ефективніше масштабувати виробництво. Однак Infineon ще не вказує конкретної дати початку виробництва. Компанія планує визначити її спільно з клієнтами та партнерами. Водночас має продовжуватися реалізація існуючої стратегії розвитку виробництва SiC діаметром 200 міліметрів.
Карбід кремнію наразі належить до найважливіших матеріалів з широкою зоною переходу для потужної електроніки. Порівняно з класичним кремнієм, SiC забезпечує менші втрати потужності, вищу щільність потужності, а також ефективну роботу при високих напругах та температурах. Сфери застосування включають, зокрема, перетворювачі для тяги, бортові зарядні пристрої та зарядні станції для електромобілів, а також стаціонарні акумулятори та промислові приводи.
SiC залишається важливим для електромобільності та інфраструктури зарядки
Для електромобільності цей крок є значущим насамперед з точки зору масштабування та виробничих витрат. Більші пластини дозволяють виготовляти більше чипів з карбіду кремнію за один цикл виробництва, що у довгостроковій перспективі полегшує економічне виробництво великих партій. Однак Infineon не надає конкретних даних щодо можливого зниження витрат на окремі компоненти.
Водночас концерн працює над більш ефективним виробництвом самого кристалу SiC. На заводі в Дрездені Infineon успішно протестувала так звану технологію холодного розрізання для кристалів SiC діаметром 300 міліметрів. За допомогою цієї технології кристали відокремлюються з меншими втратами матеріалу та за коротший час, ніж при звичайному різанні дротом. Це дозволяє отримати більше кристалів з одного кристала.
Цей досягнення у сфері SiC є продовженням стратегії Infineon щодо використання кристалів діаметром 300 міліметрів у Villachan. Там компанія вже підготувала перехід від кристалів діаметром 200 міліметрів до кристалів діаметром 300 міліметрів у виробництві нітриду галію та наприкінці жовтня оголосила про намір інвестувати близько 1,1 мільярда євро у цей завод до 2034 року. Великомасштабне виробництво напівпровідників на основі GaN на кристалах діаметром 300 міліметрів має розпочатися наприкінці 2027 року.
За допомогою SiC Infineon тепер застосовує цей підхід до виробництва ще одного матеріалу з широкою зоною переходу. Компанія виробляє напівпровідники високої потужності на основі кремнію, нітриду галію та карбіду кремнію, використовуючи для всіх трьох матеріалів технологію 300 міліметрів.