Magnachip accorde une licence pour la technologie de carbure de silicium GeneSiC de Navitas destinée aux applications de 1 200 V et plus.

Magnachip Semiconductor s’oriente vers le marché du carbone de silicium à haute tension et ultra-haute tension en obtenant une licence pour la technologie GeneSiC de Navitas Semiconductor. Cette licence couvre les technologies Gen 4 et Gen 5 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) de Navitas, fonctionnant à 1 200 V, 2 300 V, 3 300 V et plus encore. GeneSiC est entré au sein de Navitas suite à son acquisition de GeneSiC Semiconductor en août 2022. Charged a couvert la plateforme Gen 5 lorsque Navitas l’a introduite en février 2026. La structure TAP constitue la base des dispositifs SiC haute tension de Navitas destinés aux applications de réseau et d’infrastructure à moyenne tension. Magnachip obtient également accès à la chaîne d’approvisionnement en SiC ainsi qu’à l’écosystème des matériaux de Navitas. Il est prévu de porter cette technologie, de la valider et de l’intégrer dans l’usine de Magnachip en Corée du Sud, et les deux entreprises espèrent que cette approche accélérera l’entrée de Magnachip dans le domaine du SiC tout en maintenant la continuité avec la base technologique et matérielle existante de Navitas. Les entreprises affirment que les technologies licenciées soutiendront des applications dans les domaines de l’infrastructure énergétique et des réseaux électriques, du stockage d’énergie, de l’électrification industrielle, de l’automobile et d’autres systèmes à haute puissance en Corée. Navitas et Magnachip affirment que l’accord couvre également des domaines au-delà du SiC, dont ils prévoient de donner plus de détails ultérieurement. « En autorisant l’utilisation de nos technologies GeneSiC éprouvées et en soutenant Magnachip grâce à notre écosystème de chaîne d’approvisionnement et de matériaux, nous ouvrons la voie à une mise à l’échelle plus rapide des solutions avancées en SiC, tout en favorisant une collaboration plus profonde et à long terme entre nos entreprises », a déclaré Chris Allexandre, président et PDG de Navitas. À 3 300 V et plus, les dispositifs en SiC concurrencent les IGBT en silicium dans les convertisseurs à grande échelle et les systèmes de traction. Une tension de blocage plus élevée par dispositif permet de réduire le nombre de composants à connecter en série, et les pertes de commutation plus faibles du SiC autorisent des fréquences de commutation plus élevées ainsi que des composants magnétiques de taille réduite. Cet accord ouvre une importante nouvelle opportunité commerciale pour Magnachip dans le domaine des semi-conducteurs SiC à haute et très haute tension », a déclaré Chae Lee, PDG de Magnachip. « L’intégration de la technologie GeneSiC complète notre portefeuille existant de MOSFET et de semi-conducteurs d’alimentation, permettant à Magnachip de desservir des clients ayant besoin de solutions de conversion d’énergie plus efficaces, capables de fonctionner à des tensions plus élevées et plus fiables. Source : Navitas Semiconductor