MOSFETY SiC firmy ROHM trafiają do układu napędowego elektrycznego BMW Neue Klasse

MOSFETy typu SiC firmy ROHM Semiconductor są wykorzystywane w układzie napędowym elektrycznym modelu Neue Klasse BMW, czyli platformy Gen 6 przeznaczonej dla pojazdów elektrycznych tego producenta. ROHM nie podał nazwy rodziny urządzeń ani klasy napięcia, ani też nie ujawnił, który dostawca pierwszego poziomu produkuje elektronikę napędową do tych chipów.

Firma opisuje te komponenty jako elementy wspomagające kluczowe funkcje elektroniki napędowej w pojeździe, podkreślając, że zostały zaprojektowane z myślą o efektywności energetycznej i niezawodnym działaniu w trudnych warunkach samochodowych. Ich wpływ objawia się w zasięgu jazdy, szybkości ładowania oraz ogólnej efektywności pojazdu, według ROHM, które nie podało żadnych konkretnych wartości dla żadnego z tych parametrów.

Inwerter Gen 6 jest wbudowany w obudowę silnika elektrycznego i działa w architekturze 800 V, a BMW wymienia półprzewodniki z krzemu karbidu wśród środków zapewniających wydajność w jego budowie. W porównaniu z układem napędowym Gen 5 producent szacuje redukcję strat energii o 40%, kosztów o 20% oraz masy o 10%, a wzrost ogólnej wydajności pojazdu o około 20%. Oczekuje się, że ten model będzie ładował się o 30% szybciej i będzie mógł przejechać o 30% dłuższą odległość niż model, który zastępuje.

Przepływ prądu i straty przełączania w elementach SiC pozostają niższe niż w IGBT na krzemie przy napięciu szyny 800 V, a straty, których unika inwerter, nie występują w zależności od pojemności baterii ani jako margines dla szybszego ładowania prądem stałym.

ROHM podpisała długoterminowy kontrakt na elementy SiC z firmą Vitesco Technologies o wartości ponad 1 miliarda dolarów, obowiązujący do 2030 roku, oraz długoterminową umowę dostaw z chińskim producentem elektroniki samochodowej United Automotive Electronic Systems (UAES) dotyczącą ładowarek i inwerterów pokładowych. Również rozpoczęła masową produkcję wysokonapięciowego inwertera na bazie SiC we współpracy z firmą Schaeffler dla chińskiego producenta pojazdów elektrycznych.

Zgodnie z informacjami ROHM, urządzenia EcoSiC piątego pokolenia charakteryzują się oporem włączenia o około 30% niższym niż w urządzeniach czwartego pokolenia przy temperaturze złącza 175° C, przy równoważnym napięciu przebicia i rozmiarze chipa.