Power Integrations ocenia technologię PowiGaN na poziomie 2200 V dla systemów wysokonapięciowych.

EV Engineering News

Opublikowano 12 sierpnia 2026 roku przez Chrisa Ruoffa, zakategorizowane w Newswire, The Tech.

Firma Power Integrations oceniła swoją technologię PowiGaN opartą na azotku galu (GaN) na poziomie do 2,200 V – według firmy jest to wartość wyższa niż u jakiejkolwiek innej dostępnej na rynku technologii GaN. Power Integrations planuje zastosowanie tej technologii w głównych obwodach zasilających w centrach danych wysokiego napięcia, pojazdach elektrycznych, systemach energii odnawialnej oraz infrastrukturze prądu stałego wysokiego napięcia (HVDC), ponieważ te systemy przechodzą na architektury z wyższym napięciem w celu uzyskania większej gęstości mocy.

Zawory na bazie GaN oferują wyższą sprawność oraz wyższe częstotliwości przełączania w porównaniu z tranzystorami krzemowymi, a wyższa częstotliwość przełączania umożliwia zmniejszenie rozmiarów komponentów pasywnych oraz wzrost gęstości mocy. Firma Power Integrations twierdzi, że alternatywy takie jak krzemek węglowy o niższej częstotliwości (SiC) oraz układy z ułożonych obok siebie urządzeń GaN o niższym napięciu wymagają kompromisów pod względem gęstości mocy, złożoności i niezawodności.

„Nasza technologia PowiGaN o napięciu 2,200 V zapewnia znaczną marginesową wartość napięcia dla nowoczesnych systemów zasilania wysokonapięciowego, jednocześnie umożliwiając wysokie częstotliwości przełączania niezbędne do maksymalizacji gęstości mocy” – powiedziała Jennifer Lloyd, prezes i dyrektor generalna Power Integrations. „Do nowych zastosowań należą przyszłe baterie pojazdów elektrycznych oraz systemy zasilania pomocniczego działające przy coraz wyższych napięciach wyjściowych. Dzięki temu technologia GaN może być stosowana w zakresach napięć tradycyjnie obsługiwanych przez SiC, oferując alternatywę o wysokiej częstotliwości dla zastosowań takich jak energia słoneczna, HVDC oraz zaawansowana konwersja mocy przemysłowej.”

IC-y typu PowiGaN o napięciu roboczym 1700 V są już projektowane do zastosowań pomocniczych o jednym etapie w centrach danych, natomiast komponenty o napięciu 1250 V stanowią prostszą alternatywę dla rozwiązań warstwowych w głównej ścieżce zasilania centrów danych o napięciu 800 VDC – architektury, którą firma opisuje w białej książce. Nowe wartości napięcia 2200 V rozszerzają tę możliwość nawet na bardziej zaawansowane architektury szyn zasilających, które według Power Integrations trafią do pojazdów elektrycznych, inwerterów fotowoltaicznych oraz systemów przechowywania energii w bateriach.

„Wysoki próg napięciowy GaN uniemożliwiał jego zastosowanie w głównych obwodach zasilających, pozwalając na to materiałowi SiC. Wartość 2 200 V zmienia tę sytuację, dając możliwość stosowania topologii jednoetapowych oraz zapewniając przyszłościowość nowym projektom centrów danych i pojazdów elektrycznych o napięciu 1 500 V. Spodziewamy się, że rynek urządzeń z GaN do zasilania osiągnie wartość 3,5 miliarda dolarów do 2031 roku, a włączenie GaN do tych zastosowań o wyższym napięciu stanowi ważną część tego wzrostu” – powiedział Roy Dagher, analityk technologii i rynku w Compound Semiconductors w Yole Group.

Źródło: Power Integrations

Utwórz konto. Jesteś już zarejestrowany? Zaloguj się

Wirtualna konferencja na temat inżynierii pojazdów elektrycznych: dostępna bezpłatnie

Nie przegap naszej kolejnej wirtualnej konferencji od 14 do 17 września 2026 roku.

Zarejestruj się poniżej, aby zarezerwować miejsce i oglądać sesje webinaryjne na żywo lub według własnego wyboru.

ŁADUJ WIĘCEJ SESJI