英飞凌在菲拉赫投资11亿欧元

奥地利的菲拉赫是英飞凌最重要的生产基地之一。这家芯片制造领域的领导者在此建立了全球首个在较大尺寸的300毫米晶圆上大规模生产GaN功率半导体的工厂，预计将于2027年开始投产。到2034年，约有11亿欧元将投入菲拉赫现有的基础设施建设。

图片来源：英飞凌

全球领先的微芯片制造商之一英飞凌已在2024年在氮化镓（GaN）功率半导体制造方面取得突破。由于能够将GaN半导体从200毫米晶圆升级到300毫米晶圆上，生产量提升了2.3倍，这为首次实现大规模生产创造了条件。

因此，英飞凌计划到2034年在奥地利的维拉赫工厂投资约11亿欧元。通过充分利用和升级那里用于芯片生产的关键洁净室，可更高效、更具成本效益地扩大生产能力。目前，英飞凌奥地利公司拥有约5,800名员工，其中大约4,800人在克恩顿州的工厂工作。

“这项大规模投资体现了我们加强欧洲半导体生态系统及提升欧洲技术自主性的坚定决心。通过建立300毫米尺寸的大规模生产线，我们将成为全球首家实现氮化镓功率电子器件大规模量产的公司，”英飞凌科技股份公司首席执行官约亨·哈内贝克表示。

氮化镓芯片的巨大市场潜力

最新一代300毫米晶圆上的氮化镓功率半导体器件的大规模生产预计将于2027年底启动。此举将满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、机器人技术以及消费电子等未来领域对高能效芯片日益增长的需求。

市场潜力巨大：行业分析师预计，2025年至2031年间，GaN功率半导体的年增长率约为35%，届时市场规模将达到约35亿美元。其原因在于，氮化镓在开关和转换电能方面的效率远高于传统硅材料。这使得人们能够制造出更小、性能更强且能耗更低、发热更少的系统。

奥地利联邦总理克里斯蒂安·斯托克对此评论道：“英飞凌的数十亿美元投资堪称奥地利高科技产业史上规模最大的单笔投资之一。这不仅体现了对我们经济基地的坚定支持，还确保了半导体产业的未来不会仅在亚洲或美洲决定，奥地利和欧洲同样能发挥重要作用。”

欧盟的数百万欧元资助为该项目提供有力支持

该计划得到了“欧洲芯片法案”的扶持。欧盟委员会已批准了3.19亿欧元的政府补贴。奥地利经济部预计也会按时给出正式的资助承诺。

经济部长沃尔夫冈·哈特曼斯多费尔强调了该项目的宏观经济价值：“奥地利在节能芯片领域已处于领先地位。按人口规模计算，我们在半导体领域的企业研发支出在欧盟中位居第一。我们希望通过工业战略进一步巩固这一优势，不仅要研究新技术，还要实现其工业化生产。这将为整个经济体系带来益处：每创造一个芯片行业的工作岗位，理论上还能带动经济领域另外六个工作岗位的产生。”

英飞凌奥地利公司董事会主席萨宾·赫利奇卡进一步强调了科研与产业相结合的重要性：“竞争力与技术自主性正是在卓越的科研成果转化为工业价值的过程中产生的。我们正是从这一点出发开展我们的旗舰项目：我们将奥地利的创新成果引入工业应用，巩固我们的技术领先地位，并创造高技能就业岗位。微电子产业是推动经济与社会发展的关键行业，具有巨大的影响力。从研究机构、大学到工业合作伙伴，整个奥地利半导体生态系统都能从中受益。如此一来，我们就能持续提升欧洲在微电子领域的竞争力与战略自主性。”