Power Integrations称其PowiGaN技术可支持2,200伏特的高压系统应用。

电动汽车工程新闻

2026年8月12日由Chris Ruoff发布，归类于新闻快讯与科技板块。

Power Integrations称其PowiGaN氮化镓技术的工作电压可达2,200伏，该公司表示这一水平超过了市面上其他任何商用氮化镓产品。该技术旨在应用于高压数据中心、电动汽车、可再生能源以及高压直流输电基础设施中的主电源路径，因为这些系统正在转向更高电压的总线架构以实现更高的功率密度。

GaN开关相比硅晶体管具有更高的效率与更高的开关频率，而更高的开关频率使得无源元件体积得以缩小，功率密度随之提升。Power Integrations指出，诸如低频碳化硅（SiC）以及多层堆叠的低电压GaN器件等替代方案，在功率密度、复杂度及可靠性方面都需要做出妥协。

Power Integrations的总裁兼首席执行官Jennifer Lloyd表示：“我们的2,200伏PowiGaN技术不仅为新兴的高压电力系统提供了充足的电压裕度，还能实现提升功率密度所需的高开关频率。未来的应用场景包括输出电压不断升高的电动汽车电池及辅助电源系统。这使GaN的应用范围扩展到了传统上由SiC覆盖的电压区间，从而为太阳能、高压直流及先进的工业电源转换等应用提供了高频替代方案。”

额定电压为1,700伏的PowiGaN集成电路已被用于数据中心的单级辅助电源应用中；而1,250伏的器件则为800伏直流数据中心主电源路径中的堆叠式解决方案提供了更简单的替代方案，该公司在一份白皮书中详细介绍了这种架构。新的2,200伏额定电压进一步扩展了其应用范围，可用于更高电压的总线架构，Power Integrations称这些架构将应用于电动汽车、光伏逆变器以及电池储能系统。

“GaN的电压上限使其无法用于主要电源路径，这一位置被SiC占据。2,200伏的额定电压改变了这一状况，为单级拓扑结构提供了可能，同时也为未来1,500伏的数据中心及电动汽车设计做好了准备。Yole Group化合物半导体领域的技术与市场分析师Roy Dagher表示：‘我们预计到2031年，功率GaN器件市场的规模将达到35亿美元，而将GaN应用到这些更高电压的领域是推动该市场增长的重要因素。’”

来源：Power Integrations

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