Magnachip获得了Navitas的GeneSiC碳化硅技术许可，用于1,200伏及以上电压应用。

Magnachip Semiconductor通过获得Navitas Semiconductor的GeneSiC技术许可，进军高压及超高压碳化硅市场。该许可涵盖了Navitas的第四代和第五代GeneSiC沟槽辅助平面（TAP）技术，适用电压为1,200伏、2,300伏、3,300伏及以上。 GeneSiC是通过其在2022年8月收购GeneSiC Semiconductor而进入Navitas的。当Navitas在2026年2月推出第5代平台时，Charged技术已用于该平台。TAP结构则是Navitas用于中压电网及基础设施应用的高压SiC器件的基础。 Magnachip 还能够使用 Navitas 的碳化硅供应链及材料生态系统。该技术计划在 Magnachip 位于韩国的工厂中进行移植、验证并实现本土化应用，两家公司期望通过这种方式加快 Magnachip 进入碳化硅领域的步伐，同时保持与 Navitas 现有技术和材料体系的连贯性。 这些公司表示，这些获得许可的技术将支持韩国的能源与电网基础设施、能量存储、工业电气化、汽车以及其他高功率系统等相关应用。 Navitas与Magnachip表示，该协议还涵盖了碳化硅以外的领域，他们预计日后会详细说明这些内容。 Navitas总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示：“通过授权我们经过验证的GeneSiC技术，并借助我们的供应链和材料生态系统为Magnachip提供支持，我们不仅能够更快地推广先进的SiC解决方案，还能促进两家公司之间更深入、长期的协作。” 在3,300伏及以上电压等级中，碳化硅器件在电网级变换器及牵引驱动系统中与硅基IGBT展开竞争。由于每个器件的耐压值更高，因此串联连接的器件数量得以减少；同时碳化硅较低的开关损耗使得开关频率可以提高，所需的磁元件尺寸也可以缩小。 Magnachip首席执行官Chae Lee表示：“这项协议为该公司在高压及超高压碳化硅领域打开了重要的新市场机遇。GeneSiC技术的加入能够补充我们现有的MOSFET及功率半导体产品线，使Magnachip能够为那些需要更高效率、更强电压承受能力以及更可靠电源转换解决方案的客户提供服务。” 来源：Navitas半导体