SiC MOSFETи від ROHM використовуються у електричній силовій системі BMW Neue Klasse

МОНОЛітні СИЛІСЬМЕТ-транзистори ROHM Semiconductor використовуються у системі живлення моделей Neue Klasse від BMW – це 6-те покоління платформи для електромобілів цього виробника. ROHM не назвала сімейство пристроїв чи клас напруги, а також не повідомила, який постачальник першого рівня виготовляє електроніку живлення для цих чипів.

Компанія описує ці компоненти як засоби для забезпечення ключових функцій електроніки живлення в автомобілі, зазначаючи, що вони розроблені для енергоефективності та надійної роботи в складних умовах автомобільного експлуатаційного середовища. За словами ROHM, їхній вплив проявляється у дальності їзди, швидкості заряджання та загальній ефективності автомобіля, проте компанія не навела конкретних цифр щодо будь-якого з цих показників.

Інвертор 6-го покоління вбудований у корпус електродвигуна та працює в архітектурі 800 В; BMW вказує на напівпровідники з карбіду кремнію як один із засобів підвищення ефективності. Порівняно з силовою установкою 5-го покоління, автовиробник оцінює зниження енергетичних втрат на 40%, витрат – на 20% та ваги – на 10%, а підвищення загальної ефективності автомобіля – приблизно на 20%. Компанія очікує, що цей покоління буде заряджатися на 30% швидше та проїжджати на 30% далі, ніж попереднє покоління.

При напрузі шини 800 В втрати на проведення струму та перемикання в пристроях на основі SiC залишаються нижчими, ніж у IGBT на основі кремнію, а втрати, яких уникає інвертор, не проявляються у обмеженнях щодо ємності акумулятора чи у можливостях швидшого заряджання від постійного струму.

ROHM підписала довгостроковий контракт на постачання пристроїв на основі SiC із компанією Vitesco Technologies на суму понад 1 мільярд доларів, який діятиме до 2030 року, а також довгострокову угоду про постачання з китайським виробником автомобільної електроніки United Automotive Electronic Systems (UAES) щодо бортових зарядних пристроїв та інверторів. Компанія також розпочала масове виробництво високонапругового інвертора на основі SiC спільно з компанією Schaeffler для китайського виробника електромобілів.

За даними ROHM, пристрої п’ятого покоління EcoSiC мають опір при вмиканні, який на 30% нижчий, ніж у пристроїв четвертого покоління, при температурі з’єднання 175° C, за умови однакової напруги розриву та розміру чипа.