Os MOSFETs de SiC da ROHM são utilizados no sistema de propulsão elétrica do BMW Neue Klasse
Os MOSFETs de SiC da ROHM Semiconductor estão sendo utilizados no sistema de propulsão elétrica do Neue Klasse da BMW, a plataforma de 6ª geração para os veículos elétricos da montadora. A ROHM não informou o nome da família de dispositivos nem a classe de tensão, nem indicou qual fornecedor de nível 1 fabrica os componentes eletrônicos responsáveis pelo funcionamento desses chips.
A empresa descreve esses componentes como sendo essenciais para as principais funções eletrônicas de potência no veículo, afirmando que foram projetados para oferecer eficiência energética e operação confiável em condições automotivas exigentes. De acordo com a ROHM, sua contribuição se reflete no alcance de viagem, no desempenho de carregamento e na eficiência geral do veículo, embora a empresa não tenha fornecido números específicos para nenhum desses aspectos.
O inversor da Geração 6 está integrado à carcaça do motor elétrico e opera com uma arquitetura de 800 V, sendo que a BMW lista semicondutores de carboneto de silício entre as medidas de eficiência utilizadas nele. Em comparação com o sistema de propulsão da Geração 5, a montadora estima uma redução nas perdas de energia de 40%, nos custos de 20% e no peso de 10%, além de um aumento na eficiência geral do veículo de cerca de 20%. Espera-se que essa geração carregue 30% mais rápido e percorra 30% mais distância em relação à anterior.
As perdas de condução e comutação do SiC permanecem menores do que as de um IGBT de silício em uma tensão de barramento de 800 V, e as perdas que o inversor evita gerar não afetam a autonomia com uma determinada capacidade da bateria, nem disponibilizam margem para carregamento DC mais rápido.
A ROHM assinou um contrato de longo prazo com a Vitesco Technologies para o uso do SiC, no valor de mais de 1 bilhão de dólares e válido até 2030, além de um acordo de fornecimento de longo prazo com a fabricante chinesa de eletrônicos automotivos United Automotive Electronic Systems (UAES) para carregadores e inversores embarcados. A empresa também iniciou a produção em massa de um inversor de alta tensão feito com SiC, em parceria com a Schaeffler, para um fabricante chinês de veículos elétricos.
De acordo com a ROHM, os dispositivos EcoSiC de quinta geração reduzem a resistência em carga em aproximadamente 30% em comparação com a quarta geração, mantendo a mesma temperatura de junção de 175° C, tensão de ruptura equivalente e tamanho do chip.