A Magnachip licencia a tecnologia de carboneto de silício GeneSiC da Navitas para tensões de 1.200 V e acima

A Magnachip Semiconductor está entrando no mercado de carboneto de silício de alta e ultra-alta tensão por meio da licença da tecnologia GeneSiC da Navitas Semiconductor. A licença abrange as tecnologias Gen 4 e Gen 5 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) da Navitas, para tensões de 1.200 V, 2.300 V, 3.300 V e superiores. A GeneSiC chegou à Navitas por meio da aquisição da GeneSiC Semiconductor em agosto de 2022. O Charged foi utilizado na plataforma Gen 5 quando a Navitas a lançou em fevereiro de 2026. A estrutura TAP é a base dos dispositivos de SiC de alta tensão da Navitas, destinados a aplicações em redes e infraestruturas de média tensão. A Magnachip também ganha acesso à cadeia de suprimentos de SiC e ao ecossistema de materiais da Navitas. Está previsto que a tecnologia seja adaptada, testada e integrada na fábrica da Magnachip na Coreia do Sul, e as empresas esperam que essa abordagem acelere a entrada da Magnachip no mercado de SiC, mantendo ao mesmo tempo a continuidade com a base tecnológica e de materiais existente da Navitas. As empresas afirmam que as tecnologias licenciadas irão apoiar aplicações nas áreas de infraestrutura energética e de rede, armazenamento de energia, eletrificação industrial, automotiva e outros sistemas de alta potência na Coreia. A Navitas e a Magnachip afirmam que o acordo abrange também áreas além do SiC, as quais esperam detalhar posteriormente. “Ao licenciar nossas tecnologias comprovadas GeneSiC e apoiar a Magnachip por meio de nosso ecossistema de cadeia de suprimentos e materiais, estamos criando um caminho para escalar soluções avançadas de SiC mais rapidamente, ao mesmo tempo em que possibilitamos uma colaboração mais profunda e de longo prazo entre nossas empresas”, disse Chris Allexandre, presidente e CEO da Navitas. A partir de 3.300 V, os dispositivos de SiC competem com os IGBTs de silício em conversores em escala de rede e sistemas de tração. Uma tensão de bloqueio mais alta por dispositivo reduz o número de componentes que precisam ser conectados em série, e as menores perdas de comutação do SiC permitem frequências de comutação mais altas e componentes magnéticos menores. “Este acordo abre uma importante nova oportunidade de mercado para a Magnachip no setor de SiC de alta e ultra-alta tensão”, disse Chae Lee, CEO da Magnachip. “A adição da tecnologia GeneSiC complementa nosso portfólio existente de MOSFETs e semicondutores de potência, permitindo que a Magnachip atenda a clientes que exigem maior eficiência, capacidade de operação em tensões mais altas e soluções de conversão de energia mais confiáveis.” Fonte: Navitas Semiconductor