← Natrag na novosti
Tržište

Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in Villach

Infineon investiert 1,1 Milliarden Euro in Villach

Villach in Österreich ist einer der wichtigsten Standorte für Infineon. Der Marktführer in der Chipherstellung hat dort nun die weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf größeren 300-mm-Wafern eingerichtet. Produktionsstart ist 2027. Bis 2034 sollen rund 1,1 Milliarden Euro in die bestehende Infrastruktur in Villach fließen.

Image 1: infineon gan300 wafer villach

Bild: Infineon

Einer der weltweit führenden Mikrochiphersteller, Infineon, hat bereits 2024 einen Durchbruch bei der Herstellung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiternerzielt. Aus dem Erfolg, die GaN-Halbleiter anstelle von auf 200- nun auf 300-Millimeter-Wafern aufbringen zu können, was die Fertigungsmenge auf das 2,3-Fache steigert, entstand nun die Möglichkeit, erstmals eine Hochvolumenfertigung zu etablieren.

Daher möchte Infineon bis 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in den Standort Villach in Österreich investieren. Die Nutzung und Modernisierung der dort vorhandenen Reinraumflächen, die zur Chipproduktion unerlässlich sind, soll den Ausbau der Fertigungskapazitäten besonders effizient und kosteneffektiv machen. Derzeit beschäftigt Infineon Austria rund 5.800 Mitarbeitende, davon etwa 4.800 im Kärntner Werk.

„Diese substanzielle Investition ist unser klares Bekenntnis zur Stärkung des europäischen Halbleiter-Ökosystems und der technologischen Souveränität Europas. Mit der Errichtung der 300-Millimeter-Hochvolumenfertigung bringen wir Galliumnitrid-Leistungselektronik als erstes Unternehmen weltweit in die Volumenfertigung“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG.

Enormes Marktpotenzial für GaN-Chips

Der Start der Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf 300-Millimeter-Wafern soll Ende 2027 erfolgen. Damit bedient Infineon den steigenden Bedarf an energieeffizienten Bauteilen in Zukunftsfeldern wie KI-Rechenzentren, E-Mobilität, erneuerbaren Energien, Robotik und Unterhaltungselektronik.

Das Marktpotenzial ist enorm: Branchenanalysten prognostizieren für GaN-Leistungshalbleiter ein jährliches Wachstum von rund 35 Prozent zwischen 2025 und 2031 auf dann etwa 3,5 Milliarden US-Dollar. Der Grund: Galliumnitrid schaltet und wandelt Strom deutlich effizienter als herkömmliches Silizium. Das erlaubt den Bau kleinerer, leistungsfähigerer Systeme mit minimalen Energieverlusten und geringerer Wärmeentwicklung.

Der österreichische Bundeskanzler Christian Stocker kommentiert den Ausbau so: „Mit dem Milliarden-Investment von Infineon erleben wir eine der größten Einzelinvestitionen in der Geschichte der österreichischen Hightech-Industrie. Das ist nicht nur ein starkes Bekenntnis zu unserem Wirtschaftsstandort, sondern stellt auch sicher, dass die Zukunft der Halbleiterindustrie nicht nur in Asien oder Amerika entschieden wird, sondern auch in Österreich und Europa.“

Rückenwind durch Millionen-Förderung der EU

Das Vorhaben wird durch den „Europäischen Chips Act“ unterstützt. Die Europäische Kommission hat bereits staatliche Beihilfen in Höhe von 319 Millionen Euro genehmigt. Die formelle Förderzusage des österreichischen Wirtschaftsministeriums wird fristgerecht erwartet.

Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer betont den volkswirtschaftlichen Nutzen des Projekts: „Österreich ist bei energieeffizienten Chips bereits führend. Gemessen an unserer Bevölkerungsgröße liegen wir bei den Ausgaben für betriebliche Forschung im Halbleiterbereich EU-weit auf Platz eins. Diesen Vorsprung wollen wir mit unserer Industriestrategie ausbauen und neue Technologien nicht nur erforschen, sondern auch im industriellen Maßstab produzieren. Davon profitiert der gesamte Wirtschaftsstandort: Auf einen Arbeitsplatz in der Chipindustrie können rechnerisch sechs weitere Arbeitsplätze in der Wirtschaft kommen.“

Ergänzend betont Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG, die Bedeutung der Verzahnung von Forschung und Industrie: „Wettbewerbsfähigkeit und technologische Souveränität entstehen dort, wo aus exzellenter Forschung industrielle Wertschöpfung wird. Genau hier setzen wir mit unserem Leuchtturmprojekt an: Wir bringen aus Österreich heraus Innovation in die industrielle Anwendung, stärken unsere technologische Führungsrolle und sichern hochqualifizierte Arbeitsplätze. Mikroelektronik ist dabei eine Schlüsselindustrie mit enormer Hebelwirkung für Wirtschaft und Gesellschaft. Davon profitiert das gesamte österreichische Halbleiter-Ökosystem – von Forschungsorganisationen und Universitäten bis zu industriellen Partnern. So stärken wir nachhaltig Europas Wettbewerbsfähigkeit und strategische Autonomie in der Mikroelektronik.“