Los MOSFET de SiC de ROHM se integran en el sistema de propulsión eléctrica de la Neue Klasse de BMW
Los MOSFET de SiC de ROHM Semiconductor se están utilizando en el sistema de propulsión eléctrica del Neue Klasse de BMW, la plataforma de sexta generación para los vehículos eléctricos de este fabricante. ROHM no reveló el nombre de la familia de dispositivos ni la categoría de voltaje, ni indicó qué proveedor de nivel 1 fabrica los componentes electrónicos relacionados con estos chips.
La empresa describe estos componentes como elementos que respaldan las funciones clave de la electrónica de potencia en el vehículo, y afirma que están diseñados para lograr eficiencia energética y un funcionamiento fiable en condiciones automotrices exigentes. Según ROHM, su contribución se refleja en el rango de conducción, el rendimiento de carga y la eficiencia general del vehículo, aunque no proporcionó cifras específicas para ninguno de estos aspectos.
El inversor de la generación 6 está integrado en la carcasa del motor eléctrico y funciona con una arquitectura de 800 V; BMW menciona a los semiconductores de carburo de silicio como parte de las medidas para mejorar la eficiencia en este sistema. En comparación con el tren motriz de la generación 5, el fabricante estima una reducción del 40% en las pérdidas energéticas, del 20% en los costos y del 10% en el peso, además de un aumento en la eficiencia general del vehículo de aproximadamente un 20%. Se espera que esta generación se cargue un 30% más rápido y permita recorrer un 30% más de distancia que la versión a la que reemplaza.
Las pérdidas por conducción y conmutación de los SiC siguen siendo menores que las de un IGBT de silicio a una tensión de bus de 800 V, y las pérdidas que evita el inversor no se manifiestan como límite en una capacidad de batería determinada, ni como margen para una carga DC más rápida.
ROHM firmó un contrato a largo plazo para SiC con Vitesco Technologies por un valor superior a 1 mil millones de dólares que se extenderá hasta 2030, además de un acuerdo de suministro a largo plazo con el fabricante chino de electrónica automotriz United Automotive Electronic Systems (UAES) para cargadores y inversores a bordo. También inició la producción en masa de un módulo inversor de SiC de alta tensión junto con Schaeffler para un fabricante chino de vehículos eléctricos.
Según ROHM, sus dispositivos EcoSiC de quinta generación reducen la resistencia en estado activo aproximadamente un 30% en comparación con la cuarta generación, a una temperatura de unión de 175 °C, con la misma tensión de ruptura y tamaño de chip.