Power Integrations estima que la tecnología PowiGaN puede operar a 2,200 V para sistemas de alta tensión.

Noticias de ingeniería de vehículos eléctricos

Publicado el 12 de agosto de 2026 por Chris Ruoff y archivado en Noticias, La tecnología.

Power Integrations ha determinado que su tecnología PowiGaN basada en nitruro de galio (GaN) puede operar a hasta 2,200 V, un nivel que la empresa afirma supera al de cualquier otro GaN disponible comercialmente. Power Integrations dirige esta tecnología hacia las rutas de alimentación principales en centros de datos de alta tensión, vehículos eléctricos, energías renovables e infraestructuras de corriente continua de alta tensión (HVDC), ya que estos sistemas pasan a utilizar arquitecturas de bus de mayor voltaje para lograr una mayor densidad de potencia.

Los conmutadores de GaN ofrecen una mayor eficiencia y frecuencias de conmutación más altas que los transistores de silicio, y una frecuencia de conmutación más elevada permite que los componentes pasivos se reduzcan en tamaño y que la densidad de potencia aumente. Power Integrations afirma que alternativas como el carburo de silicio de baja frecuencia (SiC) y arrays de dispositivos de GaN apilados de menor voltaje requieren compromisos en cuanto a densidad de potencia, complejidad y fiabilidad.

“Nuestra tecnología PowiGaN de 2,200 V ofrece un amplio margen de voltaje para los sistemas de alimentación de alta tensión en desarrollo, al mismo tiempo que permite las altas frecuencias de conmutación necesarias para maximizar la densidad de potencia”, dijo Jennifer Lloyd, presidenta y directora ejecutiva de Power Integrations. “Las aplicaciones emergentes incluyen los futuros sistemas de baterías y alimentación auxiliar para vehículos eléctricos que operan a voltajes de salida cada vez más altos. Esto amplía el rango de uso del GaN a rangos de voltaje que tradicionalmente eran atendidos por el SiC, permitiendo una alternativa de alta frecuencia para aplicaciones como la energía solar, el HVDC y la conversión de potencia industrial avanzada”.

Los circuitos integrados PowiGaN con una capacidad de 1,700 V ya se están diseñando para aplicaciones de alimentación auxiliar de una sola etapa en centros de datos, mientras que los componentes de 1,250 V ofrecen una alternativa más sencilla a las soluciones en capas en la ruta de alimentación principal de los centros de datos de 800 VDC, una arquitectura que la empresa detalla en un informe técnico. La nueva capacidad de 2,200 V amplía esta gama a arquitecturas de bus aún más avanzadas, las cuales, según Power Integrations, llegarán a los vehículos eléctricos, los inversores fotovoltaicos y los sistemas de almacenamiento de energía en baterías.

“El límite de voltaje del GaN lo ha mantenido fuera de las rutas principales de alimentación, cediendo ese lugar al SiC. Una clasificación de 2,200 V cambia esta situación, brindando margen para topologías de una sola etapa y preparando el terreno para los diseños emergentes de data centers y vehículos eléctricos de 1,500 V. Esperamos que el mercado de dispositivos de GaN para aplicaciones de alimentación alcance los 3,500 millones de dólares para 2031, y extender el uso del GaN a estas aplicaciones de voltaje más alto es una parte importante de ese crecimiento”, dijo Roy Dagher, analista de tecnología y mercado de Compound Semiconductors en Yole Group.

Fuente: Power Integrations

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