Magnachip licencia la tecnología de carburo de silicio GeneSiC de Navitas para voltajes de 1,200 V en adelante.

Magnachip Semiconductor está ingresando al mercado de carburo de silicio de alto y ultraalto voltaje mediante la licencia de la tecnología GeneSiC de Navitas Semiconductor. La licencia abarca las tecnologías Gen 4 y Gen 5 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) de Navitas para voltajes de 1,200 V, 2,300 V, 3,300 V y superiores. GeneSiC pasó a formar parte de Navitas tras adquirir GeneSiC Semiconductor en agosto de 2022. Charged cubrió la plataforma Gen 5 cuando Navitas la presentó en febrero de 2026. La estructura TAP constituye la base de los dispositivos de SiC de alta tensión de Navitas para aplicaciones en redes e infraestructuras de media tensión. Magnachip también obtiene acceso a la cadena de suministro de SiC y al ecosistema de materiales de Navitas. Se planea portar, calificar e integrar esta tecnología en la fábrica de Magnachip en Corea del Sur, y las empresas esperan que este enfoque acelere la entrada de Magnachip al mercado del SiC, manteniendo al mismo tiempo la continuidad con la base tecnológica y de materiales existente de Navitas. Las empresas afirman que las tecnologías licenciadas brindarán soporte a aplicaciones en áreas como la infraestructura energética y de redes, el almacenamiento de energía, la electrificación industrial, la industria automotriz y otros sistemas de alta potencia en Corea. Navitas y Magnachip afirman que el acuerdo también abarca áreas además del SiC, las cuales esperan detallar más adelante. “Al licenciar nuestras tecnologías probadas GeneSiC y apoyar a Magnachip a través de nuestro ecosistema de cadena de suministro y materiales, estamos creando un camino para escalar más rápidamente las soluciones avanzadas de SiC, al mismo tiempo que fomentamos una colaboración más profunda y a largo plazo entre nuestras empresas”, dijo Chris Allexandre, presidente y CEO de Navitas. A 3,300 V y más, los dispositivos de SiC compiten con los IGBT de silicio en convertidores a escala de red y sistemas de tracción. Una mayor tensión de bloqueo por dispositivo reduce la cantidad de componentes que deben conectarse en serie, y las menores pérdidas por conmutación del SiC permiten frecuencias de conmutación más altas y componentes magnéticos más pequeños. “Este acuerdo abre una importante nueva oportunidad de mercado para Magnachip en el ámbito de los semiconductores SiC de alta y ultraalta tensión”, dijo Chae Lee, director ejecutivo de Magnachip. “La incorporación de la tecnología GeneSiC complementa nuestro portafolio existente de MOSFET y semiconductores de potencia, y posiciona a Magnachip para atender a clientes que requieren soluciones de conversión de energía más eficientes, con mayor capacidad de tensión y mayor fiabilidad”. Fuente: Navitas Semiconductor