ROHMS SiC-MOSFETs kommen im elektrischen Antriebsstrang der BMW Neue Klasse zum Einsatz
Die SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor werden im Antriebsstrang der „Neuen Klasse“ von BMW eingesetzt, der Gen-6-Plattform für die Elektrofahrzeuge des Automobilherstellers. ROHM nannte weder die Gerätefamilie noch die Spannungsklasse und gab nicht an, welcher Tier-1-Lieferant die Leistungselektronik rund um die Chips herstellt.
Das Unternehmen beschreibt die Komponenten als unterstützend für wichtige Leistungselektronikfunktionen im Fahrzeug und betont, dass sie für Energieeffizienz sowie zuverlässigen Betrieb unter anspruchsvollen Automobilbedingungen konzipiert sind. Laut ROHM wirkt sich ihr Beitrag auf die Fahrstrecke, die Ladeleistung sowie die Gesamteffizienz des Fahrzeugs aus, ohne jedoch konkrete Zahlen für diese Aspekte anzugeben.
Der Inverter der Generation 6 ist im Gehäuse des Elektromotors integriert und arbeitet nach einer 800-V-Architektur; BMW zählt Siliziumkarbid-Halbleiter zu den Effizienzmaßnahmen, die in ihm verbaut sind. Im Vergleich zur Antriebstechnik der Generation 5 schätzt der Automobilhersteller eine Verringerung der Energieverluste um 40 Prozent, der Kosten um 20 Prozent sowie des Gewichts um 10 Prozent – zugleich soll die Gesamteffizienz des Fahrzeugs um etwa 20 Prozent steigen. Er erwartet, dass diese Generation 30 Prozent schneller lädt und 30 Prozent weiter fährt als das Modell, das sie ersetzt.
Zu einem Busspannungsniveau von 800 V bleiben die Leitungs- und Schaltverluste von SiC-Komponenten niedriger als die von Silizium-IGBTs, und die vom Inverter vermiedenen Verluste treten bei einer bestimmten Akkukapazität weder als Leistungsengpass noch als Spielraum für eine schnellere Gleichstrom-Ladung auf.
ROHM hat einen langfristigen SiC-Vertrag im Wert von über einer Milliarde US-Dollar mit Vitesco Technologies abgeschlossen, der bis 2030 gilt, sowie eine langfristige Liefervereinbarung mit dem chinesischen Hersteller von Automobilelektronik United Automotive Electronic Systems (UAES) bezüglich Bordladegeräte und Inverter. Zudem begann das Unternehmen die Serienproduktion eines Hochspannungs-SiC-Inverterbauteils in Zusammenarbeit mit Schaeffler für einen chinesischen Hersteller von Elektrofahrzeugen.
Laut ROHM senken die Geräte der fünften Generation EcoSiC bei einer Knotentemperatur von 175° C, bei gleicher Bruchspannung und Chipgröße, den Einschaltwiderstand im Vergleich zur vierten Generation um etwa 30 %.