Power Integrations gibt für die PowiGaN-Technologie eine Spannung von 2.200 V in Hochspannungsanwendungen an.

EV Engineering News

Veröffentlicht am 12. August 2026 von Chris Ruoff & unter der Kategorie Newswire, The Tech.

Power Integrations gibt an, dass seine PowiGaN-Galliumnitrid- (GaN-)Technologie eine Spannung von bis zu 2.200 V erreichen kann – ein Niveau, das dem Unternehmen zufolge alle anderen kommerziell verfügbaren GaN-Technologien übertrifft. Power Integrations richtet diese Technologie auf die Hauptstromwege in Hochspannungs-Data-Centern, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen sowie Hochspannungs-Gleichstrom- (HVDC-)Infrastrukturen aus, da diese Systeme auf höherspannige Busarchitekturen umsteigen, um eine größere Leistungsdichte zu erzielen.

GaN-Schalter bieten eine höhere Effizienz sowie höhere Schaltfrequenzen als Siliziumtransistoren, und eine höhere Schaltfrequenz ermöglicht es, passive Komponenten zu verkleinern und die Leistungsdichte zu erhöhen. Laut Power Integrations erfordern Alternativen wie Siliziumkarbid (SiC) in niedrigerer Frequenz sowie Arrays aus gestapelten, niederspannigen GaN-Bauelementen Kompromisse in Bezug auf Leistungsdichte, Komplexität und Zuverlässigkeit.

„Unsere 2.200-V-PowiGaN-Technologie bietet einen erheblichen Spannungsüberschuss für neu entstehende Hochspannungsleistungssysteme und ermöglicht gleichzeitig die hohen Schaltfrequenzen, die erforderlich sind, um die Leistungsdichte zu maximieren“, sagte Jennifer Lloyd, Präsidentin und CEO von Power Integrations. „Zu den neuen Anwendungen gehören zukünftige EV-Batterien sowie Hilfsleistungssysteme, die bei immer höheren Ausgangsspannungen arbeiten. Dadurch wird der Anwendungsbereich von GaN auf Spannungsbereiche erweitert, die traditionell durch SiC abgedeckt werden – was eine Hochfrequenzalternative für Anwendungen wie Solarenergie, HVDC sowie fortschrittliche industrielle Leistungsumwandlung ermöglicht.“

PowiGaN-ICs mit einer Nennspannung von 1.700 V werden bereits in einstufigen Hilfsstromanwendungen für Rechenzentren eingesetzt, während Komponenten mit 1.250 V eine einfachere Alternative zu gestapelten Lösungen im Hauptstrompfad von Rechenzentren mit 800 VDC bieten – eine Architektur, die das Unternehmen in einem White Paper ausführlich beschreibt. Die neue Nennspannung von 2.200 V erweitert dies sogar auf höhere Busarchitekturen, die laut Power Integrations in Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Invertern sowie Batteriespeichersystemen zum Einsatz kommen werden.

„Die Spannungsbegrenzung von GaN hat verhindert, dass es in den Hauptleitungsstromkreis eingesetzt werden konnte – dieser Bereich blieb somit dem SiC vorbehalten. Eine Spezifikation von 2.200 V ändert dies, da sie Raum für einstufige Topologien schafft und zukunftssichere Lösungen für neu entstehende 1.500-V-Datenzentrum- sowie EV-Konzepte ermöglicht. Wir erwarten, dass der Markt für Leistungsdioden aus GaN bis 2031 einen Wert von 3,5 Milliarden US-Dollar erreichen wird, und die Einführung von GaN in solche Hochspannungsanwendungen ist ein wichtiger Bestandteil dieses Wachstums“, sagte Roy Dagher, Technologie- und Marktanalyst bei Compound Semiconductors bei Yole Group.

Quelle: Power Integrations

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