Magnachip lizenziert Navitas’ GeneSiC-Siliziumkarbid-Technologie für 1.200 V und höher

Magnachip Semiconductor tritt mit der Lizenzierung der GeneSiC-Technologie von Navitas Semiconductor in den Markt für Hochspannungs- und Ultraschaltspannungskarbid-Schalter ein. Die Lizenz umfasst Navitas’ Gen 4- und Gen 5-GeneSiC-Trench-Assisted Planar (TAP)-Technologien für Spannungen von 1.200 V, 2.300 V, 3.300 V und höher. GeneSiC gelangte zu Navitas durch die Übernahme von GeneSiC Semiconductor im August 2022. Charged wurde für die Gen 5-Plattform verwendet, als Navitas sie im Februar 2026 vorstellte. Die TAP-Struktur bildet die Grundlage für Navitas’ Hochspannungs-SiC-Bauelemente für Anwendungen in Mittelspannungsnetzen und -infrastrukturen. Magnachip erhält außerdem Zugang zur Lieferkette für SiC sowie zum Materialökosystem von Navitas. Es ist geplant, diese Technologie in Magnachips Fabrik in Südkorea zu portieren, zu zertifizieren und dort einzuführen. Die Unternehmen erwarten, dass dieser Ansatz Magnachips Markteintritt in den SiC-Bereich beschleunigt, während gleichzeitig die Kontinuität mit Navitas’ bestehender Technologie- und Materialbasis gewahrt bleibt. Die Unternehmen behaupten, dass die lizenzierten Technologien Anwendungen in Korea unterstützen werden, darunter Infrastrukturen für Energie und Stromnetze, Energiespeicherung, die Elektrifizierung der Industrie sowie Automobil- und andere Hochleistungsanlagen. Navitas und Magnachip geben an, dass die Vereinbarung auch Bereiche jenseits von SiC umfasst, die sie voraussichtlich später genauer erläutern werden. „Durch die Lizenzzuerkennung unserer bewährten GeneSiC-Technologien sowie die Unterstützung von Magnachip durch unser Lieferketten- und Materialökosystem schaffen wir einen Weg, um fortschrittliche SiC-Lösungen schneller zu skalieren, und fördern gleichzeitig eine tiefere, langfristige Zusammenarbeit zwischen unseren Unternehmen“, sagte Chris Allexandre, Präsident und CEO von Navitas. Ab 3.300 V konkurrieren SiC-Bauelemente mit Silizium-IGBTs in Wechselrichtern im Netzwerkmaßstab sowie Antriebssystemen. Ein höherer Blockierstrom pro Bauelement verringert die Anzahl der in Reihe geschalteten Komponenten, und die geringeren Schaltnverluste von SiC ermöglichen höhere Schaltfrequenzen sowie kleinere Magnetkomponenten. „Dieses Abkommen eröffnet für Magnachip eine wichtige neue Marktlücke im Bereich Hoch- und ÜbertauchspannungssiC“, sagte Chae Lee, CEO von Magnachip. „Die Einführung der GeneSiC-Technologie ergänzt unser bestehendes Portfolio an MOSFETs und Leistungsschaltern und stellt Magnachip in die Lage, Kunden zu bedienen, die eine höhere Effizienz, eine höhere Spannungsbelastbarkeit sowie zuverlässigere Lösungen für die Leistungsumwandlung benötigen.“ Quelle: Navitas Semiconductor